不同顆粒的存儲信息不同

SLC：Single-Level Cell（單層存儲單元），每個Cell單元只存儲1bit信息，也就是只有0、1兩種電壓變化，結構簡單，電壓控制也快速，其特點就是壽命長，性能強。

MLC：Multi-Level Cell（多層存儲單元），原用於對應SLC，本意可以包含2層以上的Cell，但出於習慣和方便區分，一般指代雙層存儲，每個cell單元存儲2bit信息，電壓有000,01,10,11四種變化，但電壓控制複雜一些，寫入性能也隨之降低。

三星的3D TLC顆粒

TLC：Trinary-Level Cell（三層存儲單元）,每個cell單元存儲3bit信息，電壓從000到111有8種變化，容量比MLC更大，但控制更複雜，速度也更慢。

QLC：Quad-Level Cell（四層存儲單元），同理每個單元存儲4bit信息，電壓從0000到1111有16種變化，寫入性能會進一步降低。

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